Depozicija i karakterizacija tankih slojeva silicija obogaćenih kisikom

Marciuš, Marijan (2010) Depozicija i karakterizacija tankih slojeva silicija obogaćenih kisikom. Diploma thesis, Faculty of Science > Department of Physics.

[img] PDF
Restricted to Registered users only
Language: Croatian

Download (6MB)

Abstract

Silicij i spojevi silicija, nezamjenjiv su dio poluvodičke elektronike već više od 5 desetljeća. Unatoč snažnom industrijskom razvoju i istraživačkom napretku, još uvijek se pronalaze novi strukturni oblici silicija i njegovih spojeva kao materijala, te područja njegove primjene. Svoju najveću primjenu silicij je u monokristalnom obliku našao kao podloga (substrat) za proizvodnju elektroničkih sklopova da bi se reducirali efekti različitih koeficijenata termičke ekspanzije u slojevitim strukturama i litografskim postupcima proizvodnje integriranih sklopova u kojima se također koristi silicij uz dopiranje primjesama, ali sada u ulozi aktivnog poluvodičkog elementa. Novijim znanstvenim istraživanjima silicij i njegovi spojevi su u ovom području eksploatirani do krajnjih granica, te se uslijed snažnog napretka minijaturizacije i visokog stupnja integracije u elektroničkoj industriji polako zamjenjuju nekim novijim, kvalitetnijim i pogodnijim materijalima. Unatoč tome, zbog nekih drugih svojstava silicija, u jeku su i istraživanja u kojima se proučavaju tanki filmovi silicija i njegovih spojeva pogodnih za druga industrijska područja. Tanki filmovi silicija obogaćenog kisikom koji su tema ovog diplomskog rada, imaju već danas raznoliku primjenu u optoelektroničkim uređajima kao emiteri svjetlosti, međutim mehanizmi emisije svjetlosti u tom materijalu nisu još u potpunosti razjašnjeni i područje su vrlo aktivnog znanstvenog istraživanja. Proučavanje karakteristika takvih tankih filmova u kombinaciji sa metodama karakterizacije – Ramanovom i infracrvenom spektroskopijom, te usporedbom apsorpcijskih i emisijskih spektara, moglo bi dati odgovore na ključna pitanja o radijativnim mehanizmima u siliciju obogaćenom kisikom. Osnova poluvodičke industrije jest dobivanje vrlo tankih slojeva materijala s pogodnim elektro-transportnim svojstvima. U tu se svrhu se najčešće koriste depozicijske metode, a jedna od vrlo rasprostranjenih metoda dobivanja tankih filmova jest upravo depozicija kemijskom reakcijom plinova iz parne faze pri sniženom tlaku, LPCVD (eng. Low Pressure Chemical Vapor Deposition), korištena pri izradi ovog diplomskog rada. Za potrebe ovog rada deponirani su tanki slojevi silicija obogaćenog kisikom (SiOx) sa različitim omjerima parcijalnih tlakova plinova kisika i silana (SiH4) i pri nižim depozicijskim temperaturama s ciljem dobivanja i proučavanja svojstava amorfnih SiOx filmova u odnosu na različite stehiometrijske koeficijente x.

Item Type: Thesis (Diploma thesis)
Keywords: silicij ; depozicijske tehnike ; LPCVD reaktor ; pretražni elektronski mikroskop (SEM) ; infracrvena spektroskopija ; Ramanova spektroskopija
Supervisor: Ivanda, Mile
Co-supervisor: Buljan, Hrvoje
Date: 14 July 2010
Number of Pages: 119
Subjects: NATURAL SCIENCES > Physics
Divisions: Faculty of Science > Department of Physics
Depositing User: Gordana Stubičan Ladešić
Date Deposited: 03 Jan 2014 13:57
Last Modified: 28 Mar 2014 19:48
URI: http://digre.pmf.unizg.hr/id/eprint/102

Actions (login required)

View Item View Item

Nema podataka za dohvacanje citata